降低轻离子含量之化学机械研磨后清理程序之方法

摘要

传统之化学机械研磨法所使用之研浆会造成轻离子及重金属残留于薄膜之表面而造成表面污染（contamination），而钾及钠离子等轻离子更会导致元件之破坏如造成临界电压(Vt)之下降，本发明方法之化学机械研磨后清理程序将会降低轻离子（mobile ions）及粒子（particle）之含量。

主权项

1.一种化学机械研磨法之后清理程序(post-CMPcleaning)以降低轻离子及粒子污染被研磨层之方法,该被研磨层形成于一半导体基板之上,该方法包含:施以一化学机械研磨法于该被研磨层之上以达平坦化之目的;及施以一乾蚀刻去于该被研磨层之部份以降低轻离子及粒子污染。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之被研磨层为一介电层(dielectriclayer)。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之介电层为氧化层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之氧化层为PETEOS。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之乾蚀刻方法为活性离子电浆蚀刻(RIE)。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之蚀刻方法为外置(downstream)电浆蚀刻。7.如申请专利范围第1项之方法,更包含于该被研磨层之下先形成内连线层。8.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之被研磨层为一介电层(dielectriclayer)。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述之介电层为氧化层。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述之氧化层为PETEOS。11.如申请专利范围第7项之方法,其中上述之乾蚀刻方法为活性离子电浆蚀刻(RIE)。12.申请专利范围第7项之方法,其中上述之乾蚀刻方法为外置(downstream)电浆蚀刻。图示简单说明:第一图为传统之方法造成氧化层之侵蚀;第二图为本发明之形成内连线后之结构;第三图为本发明之施以化学机械研磨法;第四图为本发明在化学机械研磨法后施以后清理程序。