| 主权项 |
1.一种修饰半导体晶圆之曝露表面之方法,其包括以下步骤:(a)使该表面与一种三次元、结构化、固定之研磨物件接触,该物件包含许多磨料粒子与黏合剂,经排列成预定图样之形式;及(b)使该晶圆与该固定之研磨物件相对移动,以修饰该晶圆之表面。2.根据申请专利范围第1项之方法,其包括于液体存在下,使该表面与该固定之研磨物件接触。3.根据申请专利范围第2项之方法,其包括于具有pH値为至少约5之液体存在下,使该表面与该固定之研磨物件接触。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该曝露表面包含二氧心矽。5.根据申请专利范围第1项之方法,其包括修饰经处理过之半导体晶圆之曝露。6.根据申请专利范围第1项之方法,其包括使该晶圆与该固定之研磨物件相对移动,以修饰该晶圆之表面,以产生具有Ra値不大于约20埃之表面。7.根据申请专利范围第1项之方法,其包括使该晶圆与该固定之研磨物件相对移动,以达成平均切削速率为至少约500埃/分钟,以修饰该晶圆之表面。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中该固定之研磨物件包含一个背衬,此背衬具有一个包含该磨料粒子与该黏合剂而呈磨料涂层形式之表面。9.根据申请专利范围第1项之方法,其中该磨料粒子具有平均粒子大小不大于约5微米。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该磨料粒子基本上包含氧化铈粒子。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该黏合剂包含热固性有机聚合体树脂。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该黏合剂进一步包含一种增塑剂,相对于该增塑剂不存在下之相同研磨物件,该增塑剂之量足以增加该研磨物件之侵蚀能力。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中该黏合剂包含至少约25重量%该增塑剂,以增塑剂加上树脂之重量为基准。14.根据申请专利范围第1项之方法,其中该固定之研磨物件包含许多磨料复合物与黏合剂,呈预定图样形式。15.根据申请专利范围第14项之方法,其中该磨料复合物具有一种形状,选自包括立方形、圆柱形、棱形、矩形、角锥形、截头角锥形、圆锥形、截头圆锥形、十字形、具有平坦顶部表面之杆柱状、半球形及其组合。图示简单说明:图一为半导体晶圆之一部份于表面修饰前之放大示意横截面图;图二为半导体晶圆之一部份于表面修饰后之放大示意横截面图;图三为一种用以修饰半导体晶圆表面之装置之部份侧面示意图;图四为一种可使用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之一部份之放大横截面图;图五为另一种可使用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之一部份之放大横截面图;图六为一种可使用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之一部份之顶部平面图;图七为一种可使用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之一部份之等长视图;图八为另一种可使用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之一部份之等长视图,并具有示于横截面中之部件;图九-十二为其他可使用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之一部份之放大横截面图;图十三为显示参考平面之半导体晶圆之放大等长图;图十四为显示参考平面之半导体晶圆之放大等长图;图十五为一种用以制造可用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之方法之概要表示图;图十六为第二种用以制造可用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之方法之概要表示图;图十七为一种可使用于本发明方法中之三次元、结构化、固定研磨物件之一部份之放大横截面图。 |
