| 主权项 |
1.一种高频电路装置,系具备有:矽基板,系有主表面且具有100cm以上之电阻率;绝缘层,为了覆盖前述矽基板之主表面而形成;及金属配线层,系形成于前述绝缘层上者,其中前述矽基板之电阻率,系500cm以上,在前述矽基板之主表面上,系为了形成电路元件而形成外延层,在前述外延层和前述矽基板之间,系形成着缓冲矽层。2.如申请专利范围第1项之高频电路装置,其中前述矽基板之厚度系50-200m。3.如申请专利范围第1项之高频电路装置,其中在前述矽基板之主表面上介于埋置绝缘层之间并形成矽层,而形成前述绝缘层以使覆盖前述矽层。4.如申请专利范围第1项之高频电路装置,其中前述埋置绝缘层之厚度,系约5-30m。5.如申请专利范围第1项之高频电路装置,其中前述矽层之厚度,系约2-10m。6.一种高频电路装置,系具备有:矽基板,系具有主表面;矽层,系形成于前述矽基板之主表面上介于密封金属层之间;绝缘层,系为了覆盖前述矽层而形成;及金属配线层,系形成于前述绝缘层上,其中前述密封金属层和前述矽基板之主表面之间系形成着第一缓冲金属层。而在前述密封金属层和前述矽层之间,系形成着第二缓冲金属层。7.如申请专利范围第6项之高频电路装置,其中前述矽层之厚度,系比前述矽基板之厚度还小。8.如申请专利范围第6项之高频电路装置,其中在前述第一缓冲金属层和前述矽基板之主表面之间系形成着第一埋置绝缘层,而在前述第二缓冲金属层和前述矽层之间系形成着第二埋置绝缘层。9.如申请专利范围第6项之高频电路装置,其中前述第二埋置绝缘层之厚度,系在前述矽层之厚度以上。10.如申请专利范围第6项之高频电路装置,其中前述密封金属层系由高熔点金属而成的。11.如申请专利范围第6项之高频电路装置,其中前述密封金属层,系由具有约500℃以下之熔点材质而成者。图示简单说明:图一系表示本创作之实施形态1中之高频电路装置的剖面图。图二系表示本创作之实施形态2中之高频电路装置的剖面图。图三系表示本创作之实施形态3中之高频电路装置的剖面图。图四系表示图三所示的高频电路装置中之缓冲矽层之形成制程的第一制程之剖面图。图五系表示图三所示的高频电路装置中之缓冲矽层之形成制程的第二制程之剖面图。图六系表示图三所示的高频电路装置中之缓冲矽层之形成制程的第三制程之剖面图。图七系表示图三所示的高频电路装置中之缓冲矽层之形成制程的第四制程之剖面图。图八系表示图三所示的高频电路装置中之缓冲矽层之形成制程的第五制程之剖面图。图九系表示图三所示的高频电路装置中之缓冲矽层之形成制程的第六制程之剖面图。图十系表示图三所示的高频电路装置中之缓冲矽层之形成制程的第七制程之剖面图。图十一系表示本创作之实施形态4中之高频电路装置之剖面图。图十二系表示本创作之实施形态5中之高频电路装置之剖面图。图十三系表示本创作之实施形态5中之高频电路装置制造制程的第一制程之剖面图。图十四系表示本创作之实施形态5中之高频电路装置制造制程的第二制程之剖面图。图十五系表示本创作之实施形态5中之高频电路装置制造制程的第三制程之剖面图。图十六系表示本创作之实施形态5中之高频电路装置制造制程的第四制程之剖面图。图十七系表示本创作之实施形态5中之高频电路装置制造制程的第五制程之剖面图。图十八系表示本创作之实施形态6中之高频电路装置之剖面图。图十九系表示本创作之实施形态7中之高频电路装置之剖面图。图二十系表示本创作之实施形态7中变形例中之高频电路装置之剖面图。图二一系表示(a)及(b)系图二十所示的高频电路装置之制造方法之一例中之第一制程的剖面图。图二二系表示(a)及(b)系图二十所示的高频电路装置之制造方法之一例中之第二制程的剖面图。图二三系表示图二十所示的高频电路装置之制造方法之一例中之第三制程的剖面图。图二四系表示图二十所示的高频电路装置之制造方法之一例中之第四制程的剖面图。图二五系表示图二十所示的高频电路装置之制造方法之一例中之第五制程的剖面图。图二六系表示图二十所示的高频电路装置之制造方法之其他例中之第一制程的剖面图。图二七系表示(a)及(b)系图二十所示的高频电路装置之制造方法之其他例中之第二制程的剖面图。图二八系表示(a)及(b)系图二十所示的高频电路装置之制造方法之其他例中之第三制程的剖面图。图二九系表示图二十所示的高频电路装置之其他例中之制造制程的第四制程的剖面图。图三○系表示本创作之实施形态8中之高频电路装置的剖面图。图三一系表示本创作之实施形态9中之高频电路装置的剖面图。图三二系表示先前之高频电路装置之一例的剖面图。 |
