| 发明名称 |
SINGLE-LAYER POLY-CRYSTALLINE SILICON SPLIT GATE EEPROM CELLWITH EMBEDDED CONTROL GATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09172099(A) |
申请公布日期 |
1997.06.30 |
| 申请号 |
JP19960220201 |
申请日期 |
1996.08.21 |
| 申请人 |
SAIPURESU SEMICONDUCTOR INC |
发明人 |
RAKESHIYU SETEI;UENCHI TEINGU |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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