| 摘要 |
<p>L'invention concerne un mélangeur à transistor à effet de champ doté de deux circuits de commutation comprenant chacun deux séries de transistors à effet de champ couplés (Q1, Q2; Q3, Q4); un symétriseur d'antenne d'oscillateur local (T1A, T1B) à entrée unique de deux bornes et à deux sorties à deux bornes, chaque sortie étant reliée aux bases couplées des transistors (Q1, Q2; Q3, Q4) de l'un des circuits de commutation; un symétriseur d'antenne RF (T2A, T2B) fournissant les signaux d'entrée RF aux drains des transistors de chaque circuit de commutation; et, enfin, un symétriseur d'antenne aux fréquences intermédiaires (T3A, T3B) et un circuit de polarisation en courant continu (45). Le mélangeur requiert uniquement la présence d'un oscillateur local à faible puissance et offre une annulation partielle de la distorsion de non linéarité imposée aux signaux RF sinsi qu'une réduction de la distorsion d'intermodulation.</p> |
