| 摘要 |
<p>L'invention concerne un mélangeur doté d'un premier et d'un second transistor à effet de champ (Q1, Q2). Chaque transistor a une grille, un drain et une source; leurs grilles sont reliées entre elles et les sources sont couplées de sorte que le premier et le second transistor à effet de champs soient en série; une borne d'entrée (13) fournit un signal d'oscillateur local externe (16) envoyé aux grilles et aux sources des premier et second transistors à effet de champ, de sorte que lesdits transistors soient mis en/hors circuit en réponse au signal de l'oscillateur local envoyé depuis l'extérieur; un premier circuit diplexeur (40) a un accès primaire couplé entre les bornes du drain et de la source du premier transistor à effet de champ et un accès secondaire comportant une première et une seconde borne; un second circuit diplexeur (41) ayant un accès primaire couplé entre les bornes du drain et de la source du second transistor à effet de champ et un accès secondaire comportant une troisième et une quatrième borne; et, enfin, un réseau de couplage RF/fréquences intermédiaires (FI) (110, 121-124) comportant un transformateur FI à couplage de flux et un symétriseur d'antenne RF de lignes de transmission.</p> |
