| 发明名称 | 注入磷形成补偿的器件沟道区的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布的半导体器件制造方法，其步骤包含有，在硅基片上形成牺牲氧化物层，进行调整阈电压的离子注入，去除牺牲氧化物层，沉积一栅极氧化物层，沉积一栅极多晶硅层，限定及蚀刻栅极多晶硅层，从而得到栅极，进行第一次离子注入磷以得到轻掺杂漏极，及进行第二次离子注入磷至沟道中，以形成补偿的沟道杂质分布曲线。 | ||
| 申请公布号 | CN1152796A | 申请公布日期 | 1997.06.25 |
| 申请号 | CN95121119.6 | 申请日期 | 1995.12.20 |
| 申请人 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 发明人 | 庄敏宏;张三荣;王志贤 |
| 分类号 | H01L21/336;H01L21/22;H01L21/24;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/336 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1、一种利用磷的离子注入以形成补偿的沟道杂质分布半导体器件的制造方法；其步骤包含：在硅基片上形成牺牲氧化物层；进行调整阈电压的离子注入；去除该牺牲氧化物层；形成一栅极氧化物层；沉积一栅极多晶硅层；限定及蚀刻该栅极多晶硅层以形成栅极；进行第一次离子注入磷以形成轻掺杂漏极；进行第二次离子注入磷至沟道中，以形成补偿的沟道杂质分布曲线。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市科学工业园区 | ||