| 发明名称 | 制备纯羧乙基三氧化二锗的方法 | ||
| 摘要 | 制备不含有毒杂质的纯羧乙基三氧化二锗的合成方法，在此方法中不使用二氧化锗和金属锗作为起始原料，该方法包括如下步骤：(a)不含任何残余的四氯化锗以确保不生成二氧化锗；(b)除去任何二氧化锗；(c)除去后来由任何二氧化锗产生的任何四氯化锗；(d)最后除去任何二氧化锗。在另一方法中，当在室温下倾入非极性烷基溶剂优选己烷中用卤代溶剂优选二氯甲烷从浓溶液中直接沉淀制备中间体TPA，然后将其转化为羧乙基三氧化二锗。 | ||
| 申请公布号 | CN1152922A | 申请公布日期 | 1997.06.25 |
| 申请号 | CN95193177.6 | 申请日期 | 1995.12.22 |
| 申请人 | 维瓦美国销售有限公司 | 发明人 | M·阿诺德 |
| 分类号 | C07F7/30 | 主分类号 | C07F7/30 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴玉和;王其灏 |
| 主权项 | 1.制备不含任何毒量的二氧化锗或金属锗的有机锗的方法：包括：由四氯化锗制备三氯锗烷丙酸粗反应产物；水解反应产物生成丙烯酸锗反应产物；酸化丙烯酸锗生成羧乙基三氧化二锗反应产物。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||