| 发明名称 |
GROWING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09165293(A) |
申请公布日期 |
1997.06.24 |
| 申请号 |
JP19950347813 |
申请日期 |
1995.12.15 |
| 申请人 |
JAPAN ENERGY CORP |
发明人 |
OTANI SOICHIRO;SHIRAKAWA YOSHIYUKI;MINODA HISAO |
| 分类号 |
C30B15/22;C30B27/02;G05D5/00;H01L21/208;(IPC1-7):C30B15/22 |
主分类号 |
C30B15/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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