| 主权项 |
1.一种DMOS电晶体,包含有复数个沟槽式DMOS单元的核心单元区和一终端区,以供在其内形成闸极接触点,在沟槽式DMOS单元内含有复数个沟槽式多晶矽指,由该单元内沟槽式多晶矽闸极延伸到终端区形成一沟槽的终点区和其中复数个角落,该DMOS电晶体更包含一复数个多晶矽窗口位于该沟槽角落之上,该角落位在延伸的多晶矽指附近,其上覆盖之多晶矽层被除去以形成多晶矽窗口,该覆盖的多晶矽层形在该沟槽终端区的一复数个沟槽角落上被除去而消除了该DMOS一复数个易崩溃的脆弱点。2.如申请专利范围第1项所述之DMOS电晶体,其中该沟槽终端区包含一复数个沟槽终点而形成了一复数个沟槽角落,其中该多晶矽窗口形成于沟槽终点于该沟槽角落之上。3.如申请专利范围第1项所述之DMOS电晶体,其中该沟槽终端区包含有一供连接之沟槽终点与该延伸用多晶矽指,每一多晶矽指相连而形成一复数个沟槽角落,其中该多晶矽窗口系开在该连接用沟槽终点附近的沟槽角落之上。4.一种DMOS电晶体,包含有复数个沟槽式DMOS单元的核心单元区和一终端区,以供在其内形成闸极接触点,在沟槽式DMOS单元内含有复数个沟槽式多晶矽指,由该DMOS单元内沟槽式多晶矽闸极延伸到终端区形成一沟槽的终点区,该DMOS电晶体更包含有:一个特宽的多晶矽沟槽式终端跑道,位于该沟槽终点区之内,形成并和延伸的该多晶矽连接;及至少一接触窗口,形成于该特宽终端跑道之上,并在其中形成一闸极接触点来与该多晶矽指通电,因而除去在该终端区内之沟槽式多晶矽上覆盖的多晶矽层,并且该DMOS内复数个易崩溃的脆弱点亦被消除。5.如申请专利范围第4项所述之DMOS电晶体,其中该特宽沟槽式终端跑道宽度约为2.0至4.0m。图示简单说明:第一图为习知技术中一般性DMOS之截面图;第二图为习知技术中DMOS的终端区附近各层结构的截面图,其中因多晶矽闸极的结构形成了易崩溃的脆弱点;第三A图和第四A图显示本发明中改良的DMOS在终端区附近的结构俯视图,由于开了闸极窗口,消除了闸极氧化层在沟槽角落覆盖部份,因之改进了闸极氧化层的可靠度;第三B图第四B图分别为第三A图和第四A图相对的截面图;第五图第六图为改良的DMOS结构在终端区附近的俯视图,其中在终端区中形成一特宽的闸极跑道以供放置闸极接触点而消除闸极氧化层沟槽边缘和角落的覆盖部份,因之改进了闸极氧化层的可靠度;第七图是本发明中改良的DMOS元件的截面图,其中脆弱点所造成的崩溃问题得以解决;和第八A图至第八H图显示生产第三图至第七图中的DMOS元件的各步骤。 |
