| 主权项 |
1.一方法,用以使一晶圆之表面平坦化,包含下列步骤:于该晶圆之该表面上形成一具有高浓度硼及磷之硼磷矽酸盐玻璃膜;对该已形成硼磷矽酸盐玻璃膜之晶圆进行热处理,系于一维持在低温及低压之反应炉内进行,以使于该硼磷矽酸盐玻璃膜该表面内之硼及磷之浓度降低;将该硼磷矽酸盐玻璃膜平坦化,系藉于一较高温度下进行热处理;于该硼磷矽酸盐玻璃膜上生成一薄保护氧化物膜,系藉将预定气体导入该反应炉内;以及于一较低温度对该硼磷矽酸盐玻璃膜进行热处理。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中该硼及磷之浓度范围系分别位于4.5至5.5重量百分比及4.2至5.0重量百分比之内。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中该反应炉系低压化学气相沈积。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中该平坦化步骤前之热处理步骤系于大约摄氏650至750度之温度下进行。5.根据申请专利范围第4项之方法,其中该热处理步骤系于大约10至100毫托耳之压力范围内进行。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中该热处理步骤系进行大约40至100分钟。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中该平坦化步骤系于大约摄氏850至950度之温度下进行。8.根据申请专利范围第7项之方法,其中该平坦化步骤系于一氮气气氛下进行。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中该平坦化步骤系进行大约15至45分钟。10.根据申请专利范围第1项之方法,其中该生成步骤系于一由N2O气体及SiH2Cl2气体所构成之气氛内进行。11.根据申请专利范围第1项之方法,其中该最后热处理步骤系于大约摄氏650至750之温度下进行。12.根据申请专利范围第1项之方法,其中该氧化物膜之厚度系100至200埃。 |
