| 主权项 |
1.一种矽薄膜制造方法,其包括下列步骤:(a)在一绝缘材料上形成一矽薄膜;(b)对该矽薄膜施以第一型离子掺杂;(c)对该矽薄膜施以第二型离子掺杂,使得其中一型离子均匀分布在该薄膜之晶粒内部,而另一型离子则偏析到该薄膜之晶界处;及(d)对该矽薄膜进行退火处理。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一型离子为P型,第二型离子为N型。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该第一型离子为N型,第二型离子为P型。4.如申请专利范围第2项或第3项所述之制造方法,其中,该P型离子可为硼离子和氟化硼离子之一。5.如申请专利范围第2项或第3项所述之制造方法,其中,该N型离子可为磷离子和砷离子之一。6.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中,该P型离子系以淡掺杂方法,对上述矽薄膜施加10-50仟电子伏、1011/cm2-1015/cm2的布植量。7.如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中,该n型离子系以淡掺杂方法,对上述矽薄膜施加20-100仟电子伏、1011/cm2-1015/cm2的布植量。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该退火处理为在温度500℃-1000℃下,施以高温炉管退火。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该退火处理为在温度500℃-1000℃下,施以快速退火。10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该退火处理为在温度500℃-1000℃下,施以雷射退火。11.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该绝缘材料系选自石英、氧化矽物、和玻璃基座所构成之群组。12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该矽薄膜可为一复晶矽薄膜。13.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该矽薄膜可为一非晶矽薄膜。14.一种矽薄膜制造方法,适于用于薄膜电晶体,其包括下列步骤:(a)在一绝缘材料之既定位置上,形成一主动层;(b)对该主动层施以第一型离子掺杂;(c)对该主动层施以第二型离子掺杂使得其中一型离子均匀分布在该主动层之晶粒内部,而另一型离子则偏析到该主动层之晶界处;(d)对该主动层进行退火处理;(e)在该主动层上形成一闸极结构;及(f)以该闸极结构为罩幕,对该主动层进行离子布植,形成源/汲极区、通道区,完成该薄膜电晶体的制造。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该第一型离子为P型,第二型离子为N型。16.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该第一型离子为N型,第二型离子为P型。17.如申请专利范围第15项或第16项所述之制造方法,其中,该P型离子可为硼离子和氟化硼离子之一。18.如申请专利范围第15项或第16项所述之制造方法,其中,该N型离子可为磷离子和砷离子之一。19.如申请专利范围第17项所述之制造方法,其中,该P型离子系以淡掺杂方法,对上述矽薄膜施加10-50仟电子伏、1011/cm2-1015/cm2的布植量。20.如申请专利范围第18项所述之制造方法,其中,该n型离子系以淡掺杂方法,对上述矽薄膜施加20-100仟电子伏,1011/cm2-1015/cm2的布植量。21.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该退火处理为在温度500℃-1000℃下,施以高温炉管退火。22.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该退火处理为在温度500℃-1000℃下,施以快速退火。23.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该退火处理为在温度500℃-1000℃下,施以雷射退火。24.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该绝缘材料系选自石英、氧化矽物、和玻璃基座所构成之群组。25.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该主动层可为一厚度介于200埃至4000埃的复晶矽薄膜。26.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中,该主动层可为一厚度介于200埃至4000埃的非晶矽薄膜。图示简单说明:第一图为习知薄膜电晶体结构之基本剖面图;第二A-二D图为剖面示意图,用以说明本发明之一实施例的制造流程和其电阻电性;及第三A-三D图为剖面示意图,用以说明本发明之另一实施例的制造流程。 |
