| 主权项 |
1.一种控制半导体记忆装置内增压电源之方法,该方法系为了更新,藉由回应一列位址触发讯号及一增压控制讯号从一增压产生器施加增压至一内部电源线,包括下列步骤:于致能该列位址触发讯号时,依据一增压主动推动器控制讯号及更新循环控制讯号运作复数增压主动推动器;于该列位址触发讯号致能期间逻辑性地结合该压主动推动器控制讯号与更新循环控制讯号,以便控制预定数目之该复数增压主动推动器被停止激励。2.如申请专利范围第1项之控制半导体记忆装置内增压电源之方法,其特征在于该逻辑性运作系NOR运作。3.如申请专利范围第1项之控制半导体记忆装置内增压电源之方法,其特征在于该第一及第二步骤系同时进行。4.如申请专利范围第1项之控制半导体记忆装置内增压电源之方法,其特征在于该第一及第二步骤系个别进行。图示简单说明:图一系习知控制内增压电源之方法的方块图;图二系图一之操作时序图;图三系本发明控制内增压电源之方法的图式;图四系习知待机增压产生器之方块图;图五系本发明控制该内增压电源之方法的方块图;以及图六系图五之操作时序图。 |
