| 主权项 |
1.一种形成边缘型相移光罩之方法,其步骤包含如下:提供具有第一表面与第二表面之透明光罩基板;在该透明光罩基板之该第一表面上形成一被制成图型之衰减相移材料层;于覆盖该被制成图型之衰减相移材料层之该透明光罩基板之该第一表面上形成负光阻剂层;以具强度之光照射于该透明光罩基板之该第二表面,其中被不通过该被制成图型之衰减相移材料层之光所照射之部份上之负光阻剂层被曝光,而其余之负光阻剂层则未被曝光;使该负光阻剂层显影,藉此经由留存彼等该光所曝光过之该负光阻剂层部分来形成光阻剂底层;垂直异向性地沉积不透明材料层于该光阻剂底层上,且该被制成图型之衰减相移材料层部分因未被该光阻剂底层所遮蔽,故形成一该被制成图型之衰减相移材料层之边缘,其未被该不透明材料层所遮蔽;且移除该光阻剂底层与形成于该光阻剂底层上之该不透明材料层,因而制成该边缘型相移光罩。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该透明光罩基板系具有厚度介于约0.090与0.250英寸间之石英。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该不透明材料层系具有厚度介于约500与1500埃间之铬。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该不透明材料层以平行溅镀方式制成。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该光之波长介于约150与300毫微米之间。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该负光阻剂层之厚度介于约0.5与3微米之间。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该被制成图型之衰减相移材料层系MoSiO。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该被制成图型之衰减相移材料层之厚度介于约50与300毫微米之间。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该被制成图型之衰减相移材料层系以溅镀方式制成。10.一种边缘型相移光罩,其包含:一种具有第一表面与第二表面之透明光罩基板;在该透明光罩基板之该第一表面上形成一种被制成图型之衰减相移材料层,其中该被制成图型之衰减相移材料层包含内图型区域及边缘;及一层不透明材料形成于该被制成图型之衰减相移材料层之该内图型区域上,该形成方式系以于覆盖该被制成图型之衰减相移材料层之该透明光罩基板之该第一表面上形成负光阻剂层之方式形成;以具强度之光照射于该透明光罩基板之该第二表面,其中被不通过该被制成图型之衰减相移材料层之光所照射之部份上之负光阻剂层被曝光而其余之负光阻剂层则未被曝光;使该负光阻剂层显影,藉此经由留存彼等被该光所曝光过之该负光阻剂层之部分以形成光阻剂底层;垂直异向性地沉积不透明材料层于该光阻剂底层上,且该被制成图型之衰减相移材料层之部分因未被该光阻剂底层所遮蔽,故形成一该被制成图型之衰减相移材料层之该边缘,其未被该不透明材料层所遮蔽;且移除该光阻剂层与形成于该光阻剂底层上之该不透明材料层。11.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,其中该透明光罩基板之厚度介于约0.090与0.250英寸间之石英。12.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,,其中该不透明材料层之厚度介于约500与1500埃间之铬。13.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,其中该不透明材料层以平行溅镀方式制成。14.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,其中该被制成图型之衰减相移材料层系MoSiO。15.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,其中该被制成图型之衰减相移材料层之厚度介于约50与300毫微米之间。16.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,其中该被制成图型之衰减相移材料层系以溅镀方式制成。17.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,其中该光之波长介于约150与300毫微米之间。18.如申请专利范围第10项之边缘型相移光罩,其中该负光阻剂层之厚度介于约0.5与3微米之间。图示简单说明:图一显示具被制成图型之衰减相移材料层形成于透明光罩基板之第一表面之具有第一表面与一第二表面之透明光罩基板之剖面图。图二显示被形成于覆盖有被制成图型之衰减相移材料层之透明基板之第一表面上之负光阻剂层之剖面图,其透明光罩基板之第二表面系由紫外线照射光所照射。图三显示在负光阻剂被显影而形成光阻剂底层之后之光罩之剖面图。图四显示在不透明材料被垂直异向性地沉积在光阻剂底层及被制成图型之衰减相移材料层之后光罩之剖面图。图五显示完成之边缘衰减相移光罩之剖面图。图六显示使用于投影平版印刷术设备中以形成一影像于半导体基板之光阻剂层之边缘型衰减相移光罩之方块图。 |
