| 发明名称 |
SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR HORIZONTAL GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR, AND ITS MANUFACTURE, AND HORIZONTAL INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH09162413(A) |
申请公布日期 |
1997.06.20 |
| 申请号 |
JP19950320636 |
申请日期 |
1995.12.08 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
MATSUMOTO SATOSHI;YANAI TOSHIAKI |
| 分类号 |
C30B29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 |
主分类号 |
C30B29/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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