| 摘要 |
<p>Eine Festwertspeicherzellenanordnung umfaßt planare MOS-Transistoren, die in parallel verlaufenden Zeilen angeordnet sind. Benarchbarte Zeilen verlaufen abwechselnd am Boden von Längsgräben (6) und zwischen benachbarten Langsgräben (6). Die Bitleitungen (11a, 12, 11b) verlaufen quer und die Wortleitungen (19) parallel zu den Längsgräben (6). Die Speicherzellenanordnung ist mit einer Fläche pro Speicherzelle von 2F2 (F: minimale Strukturgröße) herstellbar.</p> |
