| 发明名称 | 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺 | ||
| 摘要 | 一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺，包括对栅极氧化层区表面的清洗，用以获得良好的表面特性；生成栅极氧化层；覆盖光致抗蚀层；曝光与显影，用以形成栅极氧化层；离子注入，用以调整该金属-氧化物-半导体场效应晶体管的电参数；去除光致抗蚀层；清洗该栅极氧化层；去离子水旋转擦洗愈活；以及高温退火等步骤；它可以大幅度提高栅极氧化层的电性能测试合格率。 | ||
| 申请公布号 | CN1152189A | 申请公布日期 | 1997.06.18 |
| 申请号 | CN95120401.7 | 申请日期 | 1995.12.15 |
| 申请人 | 台湾茂矽电子股份有限公司 | 发明人 | 陈瑞琪;陈汝政 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/283;H01L21/324;H01L21/30;H01L21/336 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 卢纪 |
| 主权项 | 1、一种金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层制造工艺，其特征在于，所述制造工艺的晶片加工步骤包括：在预留为栅极氧化层区的表面进行栅极氧化层区预清洗；生长栅极氧化层；覆盖光致抗蚀层；曝光；进行形成栅极氧化层的显影；进行调整所述金属-氧化物-半导体场效应晶体管电参数的离子注入；去除光致抗蚀层；清洗栅极氧化层；去离子水旋转擦洗愈活；以及高温退火。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园研新一路一号 | ||