| 摘要 |
<p>Es wird eine CMOS-Anordnung beschrieben, welche mindestens einen NMOS-Bereich (2) und mindestens einen PMOS-Bereich (3) aufweist, und welche an ihrer Oberfläche mit Substratkontakten (24, 34) versehen ist, über welche jeweilige Substratabschnitte (1, 30) der CMOS-Anordnung mit vorbestimmten Spannungswerten beaufschlagbar sind. Die beschriebene CMOS-Anordnung zeichnet sich dadurch aus, daß die durchschnittliche Anzahl der Substratkontakte (24, 34) pro Flächeneinheit und/oder die durchschnittliche Substratkontaktfläche pro Flächeneinheit innerhalb des mindestens einen NMOS-Bereiches (2) wesentlich geringer ist als innerhalb des mindestens einen PMOS-Bereiches (3).</p> |
