| 发明名称 | 制造二氧化硅基涂覆隔离膜的材料，该材料、二氧化硅基隔离膜和半导体器件的制造工艺以及器件的制造工艺 | ||
| 摘要 | 提供了一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料，这种材料用来制作VLSI中多层互连的层间隔离膜。一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料由下列成分得到：(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物，(b)含氟的烷氧基硅烷和/或(e)烷基烷氧基硅烷，(c)除硅之外的金属醇盐和/或其衍生物，以及(d)有机溶剂。根据本发明的用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料具有储存稳定性并可制作成厚层。得到的二氧化硅基隔离膜是透明且均匀的膜，而且其中未观察到裂纹或针孔之类缺陷的那些膜，还具有优异的抗氧等离子性。 | ||
| 申请公布号 | CN1151752A | 申请公布日期 | 1997.06.11 |
| 申请号 | CN95193887.8 | 申请日期 | 1995.06.30 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 松泽纯 |
| 分类号 | C09D183/00;H01L21/316;C09D185/00 | 主分类号 | C09D183/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种用来制作二氧化硅基涂覆的隔离膜的材料，其特征是由下列成份得到：(a)烷氧基硅烷和/或其部分水解的产物，(b)含氟的烷氧基硅烷，(c)除Si之外的金属醇盐和/或其衍生物，以及(d)有机溶剂。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||