发明名称 形成电子元件电极的设备和方法
摘要 一种形成电子元件至少一个电极的方法,包括:备制工作;将掩模置放在工件主平面上;和从掩模主平面侧涂覆电极材料以形成至少一个电极。该掩模最好包括:基本上成矩形环的第一掩蔽部分及基本上成矩形的第二掩蔽部分,以及基本上成矩形条的四个伪掩蔽部分以支承第一掩蔽部分。此时通过第一、第二掩蔽部分和伪掩蔽部分的协作功能而在掩蔽件中形成四个通孔。
申请公布号 CN1151611A 申请公布日期 1997.06.11
申请号 CN96120168.1 申请日期 1996.09.27
申请人 株式会社村田制作所 发明人 水口隆史;竿下宗士;炭田学
分类号 H01L21/283 主分类号 H01L21/283
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 萧掬昌;张志醒
主权项 1.一种形成电子元件至少一个电极的方法,包括下列步骤:备制工件;备制掩模,它包括两个主平面和至少一个通孔,此通孔从掩模的主平面之一延伸到其他主平面。至少有一掩蔽部分适宜和工件的预定部分相接触以屏蔽工件的预定部分,且至少有一个伪掩蔽部分形成有一下表面,此下表面在掩模的厚度方向上与至少一个掩蔽部分的下表面相隔开,以在掩模放在和工件相接触时伪掩蔽工件。将掩模放在工件的上表面上;以及在掩模上将电极材料涂覆到工件的上表面,以在工件上形成电极。该掩模包括:一穿过其主平面之一到达其他主平面的通孔,一与工件预定部分相接触的掩蔽部分,以及一在掩模厚度方向上离掩模一段距离处形成的伪掩蔽部分,从而伪掩蔽工件的预定部分。
地址 日本京都府