制作金属线的方法

摘要

本发明涉及一种在半导体元件中制做金属线的方法，在CVD制造工艺中基于淀积一TiN层的重复制造工艺，经由接触孔与一较低使导层接触和以N₂，H₂或此二者的混合气体来等离子处理TiN层的表面以及使接触电阻最小化，以此改善金属线制造工艺的效率和半导体元件的可靠度。

主权项

1.一种在半导体元件中制作金属线的方法，步骤包括：于一较低传导层上形成一间层绝缘膜；腐蚀间层绝缘膜的预先决定的部分以形成一接触孔；于合成结构上完整地淀积一Ti层；在化学气相淀积制造工艺中于Ti层上沈积一TiN薄层；用等离子处理TiN层，赋予TiN层一低电阻；重复该步骤，淀积一TiN薄层及处理TiN层直到足以填满接触孔；使TiN层被腐蚀以形成一仅填满接触孔的TiN接触塞；于合成结构上完整地沈积一金属层。