发明名称 全息神经芯片
摘要 此项发明涉及的是一种光电集成电路,这种电路在光路上与全息照相联结。这对光源与探测器或其它光电元件尽可能高的络合度来讲是一种最佳方案。它可以用下述方法获得,从这种电路的某些元件发出的光,通过一个或多个全息照相及有选择的通过附属透镜点反射在电路上,并一次或多次带有一定的光强度反射回来,其光强度取决于全息照相。反射回来的光全部或部分地落在光学元件上。也可以生产一种芯片,使这种结构能在芯片内部多次完成。光源(2)位于它的表层,通过透光的衬底向下照射。全息照相(4)位于芯片反面,可以在衬底的正面产生光源的点反射像(3)。探测器也位于衬底的正面,它可以从下方接收光线。
申请公布号 CN1151794A 申请公布日期 1997.06.11
申请号 CN95193854.1 申请日期 1995.06.28
申请人 马西亚斯·布迪尔 发明人 马西亚斯·布迪尔
分类号 G02B6/43;G06F3/00 主分类号 G02B6/43
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王以平
主权项 1.光电集成电路(1),通过由其数个光学元件发射出光束,该光束通过其数个光学元件和/或由数个光学元件反射,形成一光图案(2),其特征在于,所述光图案或其部分通过一或多个全息照相(4),并可选择地通过附加的透镜(5),在有些情况下通过成像错误失真,一次或多次点反射地、以由所述全息照相确定的强度反射(3)至所述电路,所述反射回的光图案部分或整个地投影至光学元件,例如光探测器和/或光调制器,以进行由光图案的一或多个点发出的光强的联接。
地址 奥地利维也纳