VERTICAL INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19950311268-传众专利搜索

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法人/股东/高管

发明名称	VERTICAL INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPH09153609(A)	申请公布日期	1997.06.10
申请号	JP19950311268	申请日期	1995.11.29
申请人	NEC YAMAGATA LTD	发明人	SHIDA NAOYUKI
分类号	H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822;H01L29/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78	主分类号	H01L27/04
代理机构		代理人
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