制作超导电路图形的方法

摘要

一种制作超导电路图形的方法，其特征在于下列步骤：在基片上淀积开始不显示超导性的复合氧化物材料的薄膜层；向该层所需部位照射聚焦离子束使被照射的部位转变为超导体；在氧离子注入前、中、后对复合氧化物材料进行热处理。所述离子束选自氧离子束、惰性气体离子束以及它们的混合体。所述复合氧化物的结构式为(α1-xβx)CuyOz或D4(E1-q，Cαq)mCunOp+r，其中，α，β分别为IIα或IIIα族元素，而D为Bi或Tl，D为Bi时E为Sr，D为Tl时E为Ba。

主权项

1.一种制作超导电路图形的方法，其特征在于包括下列步骤：在基片上淀积由最初不显示77°K超导性的复合氧化物材料组成的一薄膜层；向该薄膜层上所需要的部位照射一种聚焦离子束，使得被照射的部位转为超导体，其中，所述离子束是从氧离子束、惰性气体离子束和由氧气及惰性气体混合构成的离子束中选出的一种，所述离子注入的离子源是RF型离子源、微波离子源及PIG型离子源；氧离子注入前、离子注入进行之中及/或离子注入后，对上述复合氧化物材料进行热处理，其中，上述超导体是由通式(1)或(2)所示组成的复合氧化物：(α1－xβx)CuyOz……(1)其中，a是IIa族元素，β是IIIa族元素；x是β与(α＋β)的原子比，其取值范围为0.1≤x≤0.9；y和z是当α1－xβx为1时的原子比，y和z的取值范围分别为0.4≤y≤3.0、1≤z≤5；以及D4(E1－q，Caq)mCunOp＋r (2)其中，D为Bi或Tl；当D是Bi时，E为Sr，当D是Tl时，E为Ba；m和n的取值范围分别为6≤m≤10；4≤n≤8；P＝(31＋2m＋2n)/2；q的取值范围为0＜q＜1；r的取值范围为-2≤r≤2。