臭氧–TEOS沈积以缩小孔道尺寸之方法

摘要

本发明系关于一种臭氧一ＴＥＯＳ沈积以缩小孔道尺寸之方法，主要为一种缩小孔道尺寸之简便制法，亦即为在形成孔道之后，再透过臭气一ＴＥＯＳ沈积之步骤（无需回蚀刻），即可令孔道尺寸以自动对准方式缩小，而藉由臭氧一ＴＥＯＳ沈积之气体流速或温度之控制而改变此材料相对于不同材料层间之高选择比（沈积比率），而由沈积时间之控制，达到控制孔道尺寸缩小的程度，故而提供一种缩小孔道尺寸之简便方法者。

主权项

1.一种臭氧-TEOS沈积以缩小孔道尺寸之方法,包括:一为在由上至下依序形成有绝缘层、氮化钛及铝铜金属之材料层上方进行孔道光罩/蚀刻,以形成与氮化钛相通之孔道的步骤;一全面性沈积臭氧-TEOS,以形成仅附着于孔道侧壁之绝缘层之步骤;藉该沈积之绝缘层以缩小孔道尺寸者。2.如申请专利范围第1项所述之臭氧-TEOS沈积以缩小孔道尺寸之方法,其中该臭氧-TEOS可调整其气流率或操作温度而校正此材料对不同材料之沈积比率(选择性)。3.如申请专利范围第1项所述之臭氧-TEOS沈积以缩小孔道尺寸之方法,其中该可能残存于氮化钛表面之沈积材料可由后续之氩电浆处理步骤迳予去除,无需对臭氧-TEOS材料进行回蚀刻者。4.如申请专利范围第1项所述之臭氧-TEOS沈积以缩小孔道尺寸之方法,其中该沈积臭氧-TEOS绝缘层之方式上,为使用臭氧(O3)与TEOS之比率约设在12:1-20:1的条件下,反应室之压力约在350-550orr、TEOS气率设在27-42sccm、背景氦气之气率设在1850-2750sccm、沈积温度约在325-475℃以及氧气之气率约在4000-6000sccm之状态下施行者。5.如申请专利范围第1或4项所述之臭氧-TEOS沈积以缩小孔道尺寸之方法,其中该臭氧-TEOS之沈积时间约在15-55秒之间者。图示简单说明:第一图:系本发明孔道缩小前/后之局部剖面示意图。第二图:系臭氧-TEOS沈积于不同材料上之厚度与沈积时间之关系图。