| 主权项 |
1.一种制造半导体元件之方法,包含步骤如下:在半导体基板上成长之绝缘层处形成一凹槽;至少在该凹槽之底部表面和侧面部分形成一黏着层,使该绝缘膜在自该凹槽之边缘(含)延伸的预定区域中暴露出来;并充填金属或金属化合物到该凹槽内。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该金属或该金属化合物之充填是以化学气相沈积法完成。3.一种形成钨填塞物连接由层间绝缘膜互相隔绝之上层导体和下层导体区域之方法,包含步骤如下:在该下层导体区域上成长该层间绝缘膜;在该层间绝缘膜上形成一黏着层;在该黏着层上形成一光阻层;在该光阻层中形成一开口,因而制备该光阻层之光罩层,使该开口成为该层间绝缘膜中所要形成的孔;选择性地去除该黏着层,以形成一开口对应于该光阻层中形成之该开口,并进一步从该光阻层中形成的该开口边缘周围去除该黏着层,否则当钨成长时,该黏着层将成为成长核心;形成一孔贯穿该层间绝缘膜,使该下层导电区域在该孔之底部暴露出来;以及在该层间绝缘膜之该孔中充填钨层,因而形成充填该层间绝缘膜该孔之钨层。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该黏着层之该选择性去除是用蚀刻完成的。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该黏着层之该选择性去除是用等向性蚀刻完成的,使用其中形成开口之该光阻层当作光罩,使在该黏着层中形成之该开口自该光阻层中形成之该开口边缘向外收缩。6.如申请专利范围第3项之方法,其中该金钨层直接填入该层间绝缘膜之该孔中。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一层黏着层以氮化钛膜形成。8.如申请专利范围第3项之方法,其中在该钨层填入该层间绝缘膜之该孔前、先在该层绝缘膜该孔之侧壁和底部形成一第二层黏着层,然后将该钨层填入该层间绝缘膜之该孔中。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该第一和第二黏着层以氮化钛膜形成。10.如申请专利范围第3项之方法,其中该下层导电区域以下层接线导体形成。11.如申请专利范围第3项之方法,其中该下层导电区域以在基板上形成之扩散区形成。图示简单说明:图一A到一C为说明根据传统敷盖式WCVD制程形成通孔W填塞物制程之剖面图。图二为修正之传统敷盖式WCVD制程之剖面图。图三A到三D为根据本发明形成通孔W填塞物之第一实例制程的剖面图。图四A到四C为根据本发明形成通孔W填塞物之第二实例制程的剖面图。图五为说明依照本发明之制程优点之图。 |
