发明名称 DISPOSITIVO INTEGRATO MONOLITICAMENTE
摘要 Il dispositivo integrato monoliticamente secondo la presente invenzione comprende un substrato (SUB) e, almeno in una porzione:a) una prima struttura (ST1) di un primo materiale in forma solida atto ad assorbire idrogeno con conveniente generazione di energia termica, sovrapposta a detto substrato (SUB),b) una seconda struttura (ST2) di un secondo materiale in forma solida atto a rilasciare idrogeno quando ad una temperatura superiore di una predeterminata temperatura, sovrapposta a detto substrato (SUB),c) una terza struttura (ST3) di un terzo materiale in forma solida atto a generare energia termica quando sottoposto al passaggio di corrente elettrica, posta in modo tale da essere accoppiata termicamente almeno a detta seconda struttura (ST2),in cui dette prima (ST1) e seconda (ST2) struttura sono in contatto almeno in parte tra loro.
申请公布号 ITMI952502(A1) 申请公布日期 1997.05.30
申请号 IT1995MI02502 申请日期 1995.11.30
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 MASTROMATTEO UBALDO
分类号 G21B3/00;G21D9/00;H01L35/28 主分类号 G21B3/00
代理机构 代理人
主权项
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