| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE DETECTEURS INFRAROUGE A BASE DE GAINAS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
FR2733631(B1) |
申请公布日期 |
1997.05.30 |
| 申请号 |
FR19950004926 |
申请日期 |
1995.04.25 |
| 申请人 |
THOMSON CSF SEMICONDUCTEURS SPECIFIQUES |
发明人 |
HUGON XAVIER |
| 分类号 |
H01L31/18;(IPC1-7):H01L31/030 |
主分类号 |
H01L31/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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