发明名称 硅型电荷迁移物质的生产方法
摘要 本发明揭示了一种生产电荷迁移物质的方法,该物质给予聚硅氧烷树脂电荷迁移性质,该物质在树脂中是可溶的。该电荷迁移物质是带有许多芳基的芳族取代的叔胺,甲硅烷基通过烃基引入到至少一个芳基上。该方法使用不饱和脂族基,其与芳基键连,构成硅型电荷迁移化合物,或使用新键连的不饱和脂族基,其与其中硅原子的取代基是氢原子或可水解基团的硅烷键连。该方法利用氢化硅烷化反应在催化剂如铂化合物存在下进行。然后将硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触,使得铂化合物被吸附到吸附剂上。将铂化合物与吸附剂一起除去,使得剩余的铂化合物的浓度低于10ppm。
申请公布号 CN1150591A 申请公布日期 1997.05.28
申请号 CN96123304.4 申请日期 1996.11.06
申请人 陶氏康宁亚洲株式会社 发明人 栉引信夫;竹内菊子
分类号 C07F7/02 主分类号 C07F7/02
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 全菁
主权项 1. 一种生产式A-[R1SiR23-nQn]p的硅型电荷迁移物质的方法,其中A是具有多个芳基的芳族取代的叔胺,A是由具有电荷迁移性质和电离势在4.5-6.2eV范围的化合物衍生得到的有机基团;R1是具有1-18个碳原子的亚烷基;R2是具有1-15个碳原子的单价烃基或卤素-取代的单价烃基;Q是可水解基团;n和p各自是1-3;该硅型电荷迁移物质的特征在于其用具有许多芳基和含有可水解基团Q的甲硅烷基的芳族取代的叔胺表示;所述方法包括,在氢化硅烷化铂化合物作为催化剂存在下,将甲硅烷基通过烃基引入到具有电荷迁移性质和电离势在4.5-6.2eV范围的化合物的至少一个芳基的芳环上;将硅型电荷迁移物质与铂化合物的吸附剂接触并将铂化合物吸附到吸附剂上;从硅型电荷迁移物质中分离铂化合物和吸附剂,使得在硅型电荷迁移物质中剩余铂化合物的浓度低于10ppm。
地址 日本神奈川县