| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif optoélectronique à puits quantiques comportant un empilement de couches (PQ) de largeurs de bandes interdites différentes et constituant des puits quantiques possédant dans la bande de conduction au moins deux niveaux d'énergie permis, cet empilement de couches étant compris entre deux moyens de réflexion (M1, M2). Il comporte également un réseau de diffraction (RZ) compris entre l'un des miroirs (M1) et l'empilement de couches (PQ).</P> |
