| 主权项 |
1.一种具有电容器的半导体记忆体元件之制造方法,其中该半导体记忆体元件包括一基底、形成在该基底上的一转移电晶体、以及一储存电容器性藕接到该转移电晶体的汲极和源极区之一上,该制造方法包括下列步骤:a.在该基底上形成一第一绝缘层,覆盖住该转移电晶体;b.形成一第一导电层,穿过至少该第一绝缘层,与该转移电晶体的该汲极和源极区之一电性藕接;c.形成一第二绝缘层;d.在该第二绝缘层上方形成一堆叠层;e.在该堆叠层侧壁形成一第三绝缘层;f.在该第二、第三绝缘层表面形成一第四绝缘层;g.先去除该第三绝缘层与位在该第三绝缘层下方的部份该第二绝缘层,再去除该第四绝缘层以形成一第一开口;h.在该堆叠层与第二绝缘层表面形成一第二导电层,该第二导电层大致填满该第一开口;i.去除位在该堆叠层上方的该第二导电层;j.去除该堆叠层;k.形成一第五绝缘层;l.定义该第一、第二导电层,形成一第二开口;m.在该第二开口侧壁形成一第三导电层,使得该第三导电层大致连接在该第一导电层的周边,而该第二导电层的一末端连接在该第三导电层的内表面上,该第一、第三导电层构成一类树干状导电层,该第二导电层构成一类树枝状导电层,且该第一、第二、第三导电层构成该储存电容器的一储存电极;n.去除该第二、第五绝缘层;o.在该第一、第二、第三导电层暴露出的表面上,形成一介电层;以及p.在该介电层的表面上,形成一第四导电层以构成该储存电容器的一相对电极。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该类树干状导电层包括一下树干部,电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一上;以及一上树干部,大致以垂直方向自该下树干部的周边往上延伸出。3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该下树干部具有一似T型的剖面。4.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该下树干部具有一似U型的剖面。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该步骤b包括形成该第一导电层具有一似U型的剖面部份。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该步骤d中之该堆叠层的形成方式包括下列步骤:在该第二绝缘层上方依序形成一第一膜层与一第二膜层,其中该第二膜层系由导电材料制成,而该第一膜层系由绝缘材料制成;定义该第一、第二膜层,形成该堆叠层。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤k之后和步骤l之前更包括下列步骤:先形成一第五导电层;其中该步骤l更包括定义该第五导电层的步骤;其中该步骤m更包括在形成该第三导电层之后,再分开该第五导电层位在该第五绝缘层上方的部份,使该第五导电层构成该类树枝状导电层的一部份;且其中该步骤o更包括在该第一、第二、第四、第五导电层暴露出的表面上形成一介电层。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该第五导电层具有一似“一"型的剖面,且其一末端连接在该类树干状导电层的内表面上。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤;且其中该步骤b更包括形成该第一导电层穿过该蚀刻保护层的步骤。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该步骤d中之该堆叠层的形成方式包括下列步骤:在该第二绝缘层上方依序形成一第一膜层与一第二膜层,其中该第二膜层系由导电材料制成,而该第一膜层系由绝缘材料制成;定义该第一、第二膜层,形成该堆叠层。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中在步骤k之后和步骤l之前更包括下列步骤:先形成一第五导电层;其中该步骤l更包括定义该第五导电层的步骤;其中该步骤m更包括在形成该第三导电层之后,再分开该第五导电层位在该第五绝缘层上方的部份,使该第五导电层构成该类树枝状导电层的一部份;且其中该步骤o更包括在该第一、第二、第四、第五导电层暴露出的表面上形成一介电层。12.如申请专利范围第11项所述之制造方法,其中该第五导电层具有一似“一"型的剖面,且其一末端连接在该类树干状导电层的内表面上。13.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤j之后和步骤k之前更包括至少重复一次步骤c至步骤j的步骤;且其中在该步骤m中,该些第二导电层形成至少二层的类树枝状导电层,该些类树枝状导电层大致平行且其中一末端均分别连接在该第三导电层的内表面上。14.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中该类树干状导电层包括一下树干部,电性耦接到该转移电晶体的该汲极和源极区之一上;以及一上树干部,大致以垂直方向自该下树干部的周边往上延伸出。15.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该下树干部具有一似T型的剖面。16.如申请专利范围第14项所述之制造方法,其中该下树干部具有一似U型的剖面。17.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中该步骤b包括形成该第一导电层具有一似U型的剖面部份。18.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中该步骤d中之堆叠层的形成方式包括下列步骤:在该第二绝缘层上方依序形成一第一膜层与一第二膜层,其中该第二膜层系由导电材料制成,而该第一膜层系由绝缘材料制成;定义该第一、第二膜层,形成该堆叠层。19.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中在步骤k之后和步骤l之前更包括下列步骤:先形成一第五导电层;其中该步骤l更包括定义该第五导电层的步骤;其中该步骤m更包括在形成该第三导电层之后,再分开该第五导电层位在该第五绝缘层上方的部份,使该第五导电层构成该类树枝状导电层的一部份;且其中该步骤o更包括在该第一、第二、第四、第五导电层暴露出的表面上形成一介电层。20.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中该第五导电层具有一似“一"型的剖面,且其一末端连接在该类树干状导电层的内表面上。21.如申请专利范围第13项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上的步骤;且其中该步骤b更包括形成该第一导电层穿过该蚀刻保护层的步骤。22.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中在步骤a之后和步骤b之前,更包括下列步骤:先形成一蚀刻保护层在该第一绝缘层上,接着再形成一第六绝缘层在该蚀刻保护层上;其中该步骤b更包括形成该第一导电层穿过该第六绝缘层与该蚀刻保护层的步骤;且其中该步骤n更包括去除该第六绝缘层的步骤。23.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中该步骤d中之该堆叠层的形成方式包括下列步骤:在该第二绝缘层上方依序形成一第一膜层与一第二膜层,其中该第二膜层系由导电材料制成,而该第一膜层系由绝缘材料制成;定义该第一、第二膜层,形成该堆叠层。24.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中在步骤k之后和步骤l之前更包括下列步骤:先形成一第五导电层;其中该步骤l更包括定义该第五导电层的步骤;其中该步骤m更包括在形成该第三导电层之后,再分开该第五导电层位在该第五绝缘层上方的部份,使该第五导电层构成该类树枝状导电层的一部份;且其中该步骤o更包括在该第一、第二、第四、第五导电层暴露出的表面上形成一介电层。25.如申请专利范围第24项所述之制造方法,其中该第五导电层具有一似“一"型的剖面,且其一末端连接在该类树干状导电层的内表面上。26.如申请专利范围第22项所述之制造方法,其中在步骤j之后和步骤k之前更包括至少重复一次步骤c至步骤j的步骤;且其中在该步骤m中,该些第二导电层形成至少二层的类树枝状导电层,该些类树枝状导电层大致平行且其中一末端均分别连接在该第三导电层的内表面上。图示简单说明:第1图是一DRAM元件的一记忆单元之电路示意图。第2A至2I图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第一较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第一较佳实施例。第3A至3F图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第二较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第二较佳实施例。第4A至4E图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第三较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第三较佳实施例。第5A至5F图系一系列剖面图,用以解释本发明的一种半导体记忆元件制造方法之第四较佳实施例,以及本发明的一种半导体记忆元件之第四较佳实施例。 |
