| 主权项 |
1.一种静态随机存取记忆体的位元线上拉电路,藕接至该静态随机存取记忆体中的一第一电压源滙流排与一第二电压源滙流排;该位元线上拉电路包括:复数个金属接触窗;一汲极扩散区,具有至少两个左右对称之凹陷的扩散区边缘,透过该些金属接触窗藕接至该第一电压源滙流排;复数个位元线;复数个源极扩散区,藕接至对应的位元线;以及两个闸极,以该汲极扩散区为中心,呈左右对称之配置,且均藕接至该第二电压源滙流排。2.如申请专利范围第1项所述之位元线上拉电路,其中该汲极扩散区与该些源极扩散区均为n型扩散区。3.如申请专利范围第2项所述之位元线上拉电路,其中该第一电压源滙流排系VDD滙流排。4.如申请专利范围第1项所述之位元线上拉电路,其中该些闸极大致与该些位元线平行。5.如申请专利范围第1项所述之位元线上拉电路,其中该些闸极均为多节弯摺的形状。6.如申请专利范围第1项所述之位元线上拉电路,其中该些金属接触窗中至少有一位于该些凹陷的扩散区边缘间。7.一种静态随机存取记忆体的位元线上拉电路,藕接至该静态随机存取记忆体中的一第一电压源滙流排与一第二电压源滙流排;该位元线上拉电路包括:复数个金属接触窗;一汲极扩散区,透过该些金属接触窗藕接至该第一电压源滙流排;复数个位元线;复数个源极扩散区,藕接至对应的位元线;两个闸极,以该汲极扩散区为中心,呈左右对称之配置,且均藕接至该第二电压源滙流排;以及一场氧化物区,包围住该汲极扩散区与该些源极扩散区,该场氧化物区具有至少两个源极扩散区分隔岛,呈左右对称之配置,用以分隔相邻接之两源极扩散区,又每一源极扩散区分隔岛均具有一突出外缘,分别形成在对应之闸极的下方,且均凸向该汲极扩散区的边缘。8.如申请专利范围第7项所述之位元线上拉电路,其中该汲极扩散区与该些源极扩散区均为n型扩散区。9.如申请专利范围第8项所述之位元线上拉电路,其中该第一电压源滙流排系VDD滙流排。10.如申请专利范围第9项所述之位元线上拉电路,其中该些闸极大致与该些位元线平行。11.如申请专利范围第9项所述之位元线上拉电路,其中该些闸极均为多节弯摺的形状。12.如申请专利范围第9项所述之位元线上拉电路,其中该场氧化物区之该些源极扩散区分隔岛,分别自对应之闸极之一侧边缘的下方穿入,至多至该些闸极之另一侧边缘的下方为止。13.如申请专利范围第12项所述之位元线上拉电路,其中该些金属接触窗中至少有一位于该些源极扩散区分隔岛间。14.一种静态随机存取记忆体的位元线下拉电路,藕接至该静态随机存取记忆体中的一第一电压源滙流排与一第二电压源滙流排;该位元线下拉电路包括:一n型井;复数个金属接触窗;一汲极扩散区,形成在该n型井中,透过该些金属接触窗藕接至该第一电压源滙流排;复数个位元线;复数个源极扩散区,形成在该n型井中,藕接至对应的该些位元线;两个闸极,以该汲极扩散区为中心,呈左右对称之配置,该些闸极均藕接至该第二电压源滙流排;以及一场氧化物区,包围住该汲极扩散区与该些源极扩散区,该场氧化物区具有至少两个源极扩散区分隔岛,呈左右对称之配置,用以分隔相邻接之两源极扩散区,又每一源极扩散区分隔岛均具有一突出外缘,且均凸向该汲极扩散区的边缘。15.如申请专利范围第14项所述之位元线下拉电路,其中该场氧化物区之该些源极扩散区分隔岛,分别自对应之闸极之一侧边缘的下方穿入,穿过该些闸极之另一侧边缘的下方,使该汲极扩散区具有至少两个左右对称之凹陷的扩散区边缘。16.如申请专利范围第15项所述之位元线下拉电路,其中该些金属接触窗中至少有一位于该些凹陷的扩散区边缘间。17.如申请专利范围第16项所述之位元线下拉电路,其中该汲极扩散区与该些源极扩散区均为p型扩散区。18.如申请专利范围第17项所述之位元线下拉电路,其中该第一电压源滙流排系VSS滙流排。19.如申请专利范围第18项所述之位元线下拉电路,其中该些闸极大致与该些位元线平行。20.如申请专利范围第18项所述之位元线下拉电路,其中该些闸极均为多节弯摺的形状。21.如申请专利范围第14项所述之位元线下拉电路,其中该场氧化物区之该些源极扩散区分隔岛,分别自对应之闸极之一侧边缘的下方穿入,至多至该些闸极之另一侧边缘的下方为止。22.如申请专利范围第21项所述之位元线下拉电路,其中该些金属接触窗中至少有一位于该些源极扩散区分隔岛间。图示简单说明:第1图是习知一种静态随机存取记忆体之位元线上拉电路的布局结构上视示意图。第2图是本发明之第一较佳实施例的布局上视示意图。第3图是本发明之第二较佳实施例的布局上视示意图。第4图是本发明之第三较佳实施例的布局上视示意图。第5图是本发明之第四较佳实施例的布局上视示意图。第6图是本发明之第五较佳实施例的布局上视示意图。 |
