| 主权项 |
1.一种MN薄膜致动镜阵列,其中M及N为整数,该阵列系供用于一光学投影系统中,此阵列包含:一个主动矩阵,具有一顶表面且包括一基质,该基质带有一组MN形成于基质顶部之连接端子阵列与一组MN电晶体阵列;以及一组MN个致动结构阵列,每一致动结构陈列,每一致动具有一对致动部及一位于该对致动之间的光反射部,每一致动部包括一近及一远端,每一致动结构、及致动部与光反射部包括一第二薄膜电极、一具有一顶及一底表面之下电位移构件、一中间薄膜电极、一具有顶及底表面之上电位移构件、以及一第一薄膜电极,其中该等上及下电位移构件由该中间薄膜电所隔开,该第一薄膜电极设置在该上电位移构件之顶表面上,该第二薄膜电极坐落在该下电位移构件之底表面上,该中间薄膜电极经由每一连接端子电气连接至每一电晶体,且每一该等致动结构之每一致动部的近端附接至该主动矩阵的顶表面上,由此形成该薄膜致动镜。2.如申请专利范围第1项之阵列,其中该第一薄膜电极电气连接至该第二薄膜电极。3.一种用以制造一组MN薄膜致动镜阵列的方法,其中M与N均为整数,该阵列系供用于一光学投影系统中,每一薄膜致动镜具有一双层压电结构,该方法包含以下步骤;提供一具有有一顶表面之主动矩阵,该主动矩阵包括一个带有一组MN电晶体阵列与一组MN连接端子阵列的基质;在该主动矩阵之顶表面上沈积一薄膜牺牲层;移除形成在主动矩阵上之每一连接端子的顶部上之薄膜牺牲层部位;在包括该薄膜牺牲层之该主动矩阵的顶部上,形成由一第二电气导通材料制成的一第二薄膜电极层;移除形成在该主动矩阵中之每一连接端子的顶部上的第二薄膜电极层部位;积设下电位层在该主动矩阵与该第二薄膜电极层之顶部上;制作一组MN个洞阵列,每一洞具有内部表面且由该下电位移层之顶部延伸至每一连接端子的顶部;在包括每一该等洞之内表面的该下电位移层顶部上,形成由一第一电气导通材料所制成的一中间电极层;积设一上电位层在该中间电极层之顶部上,同时填补该等洞;在该上电位移层之顶部上,形成由一电气导通及光反射材料所制成的一第一薄膜电极层,由此形成包括该第一薄膜电极层,该上电位移层、该中间薄膜电极层、该下电位移层、及该第二薄膜电极层之一多层结构;将该多层结构构成一组MN半完工的致动结构阵列图案,其中每一该等半完工的致动结构包括一第一薄膜电极、一上电位移构件、一中间薄膜电极、一下电位移构件、及一第二薄膜电极;以及移除该薄膜牺牲层以形该MN薄膜致动镜阵列。4.如申请专利范围第3项之制法,其中该等上与下电位移层是由一晶体非对称性材料所制成。5.如申请专利范围第4项之制法,其中该晶体非对称性材料是ZnO。6.如申请专利范围第3项之制法,其中该等上与下电位移层以0.1-2m之厚度形成。7.如申请专利范围第3项之制法,其中该等上与下电位移层系利用一真空蒸镀或一喷镀方法来形成。8.如申请专利范围第3项之制法,其中该薄膜牺牲层是由一氧化物或一聚合物所制成。9.如申请专利范围第3项之制法,其中若该薄膜牺牲层是由一氧化物制成,则藉由使用一喷镀或一真空蒸镀方法,且若该薄膜牺牲层是由一聚合物所制成,则藉由使用一旋转镀膜方法,来形成该薄膜牺牲层。10.如申请专利范围第3项之制法,其中该等第一薄膜、第二薄膜及中间电极层是藉由使用一喷镀或一真空蒸镀方法来形成。11.如申请专利范围第3项之制法,其中该中第二薄膜电极层、该中间电极层及该第一薄膜电极层以0.1-2m之厚度形成。图示简单说明:第1A至1G图为图例截面图,绘示先前所揭露之用以制造一组MN薄膜致动镜面阵列的方法;第2图为一幅依据本发明所形成之一组MN薄膜致动镜阵列的立体截面图;第3A至3H图为图例截面图,陈述用以制造依据本发明所成之一组MN薄膜致动阵列的方法;以及第4图为第2图所示之薄膜致动镜阵列的立体图。 |
