| 主权项 |
1.一种半导体基底的绝缘方法,其包含如下之步骤:(a)形成一槽沟在一半导体基底的一非有效面积中;(b)形成一未掺杂的第一氧化层在具有该槽沟之该最终结构的整个表面上;(c)形成一已掺杂的第二氧化层在该第一氧化层上;(d)热处理具有该已掺杂之第二氧化层的该最终结构来使该第二氧化层再流动,藉此瓦解被形成在该槽沟中的一空隙;(e)植入离子至该第一和第二氧化层的预定面积内来降低一蚀刻速率;及(f)倒蚀刻该第一和第二氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之半导体基底的绝缘方法,其中氮离子(N+)系以11013-11018离子/cm2的剂量在植入离子至该第一和第二氧化层的步骤(e)中被植入。3.一种半导体基底的绝缘方法,其包含如下之步骤:(a)形成一槽沟在一半体导基底的一非有效面积中;(b)沉积一未掺杂的氧化层在具有该槽沟之该最终结构的整个表面上来充填该槽沟;(c)植入杂质离子至该氧化层内;(d)热处理该有离子被植入的结构来使该氧化层再流动;及(e)倒蚀刻该氧化层。4.如申请专利范围第3项所述之半导体基底的绝缘方法,更包含如下之步骤:在热处理该氧化层的步骤(d)之后,植入离子至该氧化层的一预定面积内来降低一蚀刻处理的蚀刻速率。5.如申请专利范围第4项所述之半导体基底的绝缘方法,其中氮离子(N+)在用于降低该氧化层之蚀刻速率的离子植入步骤期间系以11013-11018离子/cm2的剂量被植入。6.如申请专利范围第3项所述之半导体基底的绝缘方法,其中,杂质离子系以1101515-11017离子/cm2的剂量在杂质离子植入的步骤(c)中被植入。图示简单说明:第1A至1D图是描绘一习知槽沟绝缘法的横截面图;第2图是显示硼磷矽酸盐玻璃(BPSG)和热氧化层在一湿蚀刻处理期间相对于不同蒸气浓度之蚀刻速率的图表;第3图是显示一电晶体当一习知的绝缘方法系被使用时之凸起现象特性的图表;第4A至4E图是描绘本发明之较佳实施例之半导体基底之绝缘方法的横截面图;及第5A和5B图是描绘本发明之另一较佳实施例之半导体基底之绝缘方法的横截面图。 |
