| 发明名称 | 用于半导体器件缺陷调查的试验片的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种用于半导体器件缺陷调查的试验片制造方法，在衬底背面可观察半导体器件图形层底面发生的缺陷处。其工序包括：在图形层发生缺陷处的晶片(ゥェ—ハ)中，切断所述缺陷处附近部位，制作包括缺陷处的一定大小的试验片；在所述试验片的硅衬底上形成的图形层之上模制树脂成型；研磨所述硅衬底背面，使对图形层的水平面具有一定的斜度；用规定的腐蚀溶液蚀刻研磨面，使缺陷处露出。 | ||
| 申请公布号 | CN1150326A | 申请公布日期 | 1997.05.21 |
| 申请号 | CN96112228.5 | 申请日期 | 1996.07.19 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 具政会;朴斗镇 |
| 分类号 | H01L21/30;H01L21/301;H01L21/304;H01L21/302 | 主分类号 | H01L21/30 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 杨梧 |
| 主权项 | 1、一种用于半导体器件缺陷调查的试验片制造方法，其特征在于包括如下步骤：在图形层发生缺陷处的晶片(ウエ-ハ)上、切断所述缺陷处附近部位，制作包括缺陷处的一定大小的试验片；在所述试验片的硅衬底上形成的图形层之上模制树脂；研磨所述硅衬底背面，使对图形层的水平面具有一定的斜度；用规定的腐蚀溶液蚀刻研磨面，使缺陷处露出。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||