| 发明名称 |
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS EN LOS QUE SE EMPLEA LA TECNOLOGIA DE LOS SEPARADORES DE PAREDES LATERALES. |
| 摘要 |
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Y CIRCUITOS INTEGRADOS QUE USAN TECNOLOGIA DE SEPARADOR LATERAL. LA PLACA BASE DE SEPARADORES DE ALTA CALIDAD, TALES COMO AQUELLOS QUE SE USAN SOBRE LOS LATERALES DE LA CADENA DE AISLADORES DE COMPUERTA DE DISPOSITIVOS SUBMICRONALES (POR EJEMPLO MOSFETS, EPROMS) SE FORMAN COMO ESTRUCTURAS MULTICAPA COMPUESTAS (22.1-22.3) DE OXIDOS DE SILICIO O DE OXIDOS DE SILICIO Y NITRURO DE SILICIO.
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| 申请公布号 |
ES2099207(T3) |
申请公布日期 |
1997.05.16 |
| 申请号 |
ES19920302308T |
申请日期 |
1992.03.18 |
| 申请人 |
AT&T CORP. |
发明人 |
CHEN, MIN-LIANG;CHITTIPEDDI, SAILESH;KOOK, TAEHO;POWELL, RICHARD ALLYN;KUMAR ROY, PRADIP |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/115;(IPC1-7):H01L21/28;H01L29/43 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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