发明名称 METHOD OF ETCHING A POLYSILICON PATTERN
摘要 <p>Cette invention concerne un procédé permettant d'éviter les piqûres dans les régions actives le long des bords d'un électrode de grille, lors de la gravure d'un matériau composite comprenant une couche anti-réfléchissante sur du silicium polycristallin. Ce procédé consiste à graver la couche anti-réfléchissante à l'aide d'un agent de gravure qui va former une couche de protection et de passivation sur les parois latérales, au moins, du motif anti-réfléchissant gravé, ainsi que sur la couche sous-jacente de silicium polycristallin. Une gravure anisotropique permet ensuite d'éliminer la couche de protection et de passivation de la surface de la couche de silicium polycristallin, le motif anti-réfléchissant gravé restant protégé, sur ses parois latérales au moins, par la couche de passivation contre la gravure principale du silicium polycristallin, ceci afin d'éviter toute interaction. Dans un autre mode de réalisation, la couche anti-réfléchissante est gravée sans que l'on procède à la formation d'une couche de passivation, la couche de silicium polycristallin étant ensuite gravée à l'aide d'un agent de gravure formant une couche de passivation.</p>
申请公布号 WO1997017725(A2) 申请公布日期 1997.05.15
申请号 US1996014323 申请日期 1996.09.06
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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