Halbleiterspeicherbauteil mit verbessertem Layout der Kontakte,申请号DE19906030426-传众专利搜索

发明名称	Halbleiterspeicherbauteil mit verbessertem Layout der Kontakte
摘要
申请公布号	DE69030426(D1)	申请公布日期	1997.05.15
申请号	DE19906030426	申请日期	1990.08.17
申请人	FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP	发明人	EMA, TAIJI, KAWASAKI-SHI, KANAGAWA 213, JP;HASHIMOTO, KOICHI, TOTSUKA-KU, YOKOHAMA-SHI, KANAGAWA 244, JP
分类号	G11C11/401;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108;G11C11/409	主分类号	G11C11/401
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