发明名称 Method of making a semiconductor power module
摘要 Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Leistungshalbleitermoduls (10), bei welchem auf einer gemeinsamen Unterlage (11) eine Mehrzahl von Submodulen (12) angeordnet und mittels einer Mehrschichtverbundes aus abwechselnd übereinander geschichteten Metallagen (13-15) und Isolierlagen (16, 17) untereinander verbunden und nach aussen hin anschliessbar sind, wird eine sichere Herstellung des Schichtverbundes dadurch erreicht, dass zum Aufbau des Schichtverbundes die einzelnen Metallagen (13-15) und Isolierlagen (16, 17) übereinandergestapelt, mittels Justierhilfsmitteln (18, 19) untereinander und gegenüber der Unterlage (11) ausgerichtet und im ausgerichteten Zustand untereinander stoffschlüssig verbunden werden. <IMAGE>
申请公布号 EP0773587(A2) 申请公布日期 1997.05.14
申请号 EP19960810693 申请日期 1996.10.14
申请人 ASEA BROWN BOVERI AG 发明人 BAYERER, REINHOLD, DR.
分类号 H01L21/98;H01L23/473;H01L23/538;H01L23/544;H01L25/07;H01L25/16;H01L25/18;(IPC1-7):H01L25/065 主分类号 H01L21/98
代理机构 代理人
主权项
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