发明名称 用来获得高带宽的半导体存储器件及其信号线的排列方法
摘要 本发明涉及到一种半导体存储器件及借助于含有多路I/O线的芯片结构能实现高带宽的一种信号线的排列方法。半导体存储器件包括:由多个含有大量存储单元的参考块组成的阵列,多个沿芯片长度方向延伸的字线,多个沿垂直于芯片长度的方向延伸的位线,多个排列在阵列上部并沿垂直方向延伸的数据I/O线,以及多个沿垂直方向排列且邻近于数据I/O线和互补数据I/O线用来控制各对位线到数据I/O线的连接的列选择线。
申请公布号 CN1149187A 申请公布日期 1997.05.07
申请号 CN95105495.3 申请日期 1995.05.19
申请人 三星电子株式会社 发明人 徐东一;丁世镇
分类号 G11C11/34 主分类号 G11C11/34
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 杜有文;萧掬昌
主权项 1.一种半导体存储器,它包含:一个由多个含有许多存储单元的参考块组成的阵列;多个沿芯片长度方向延伸的字线;多个沿垂直于芯片长度方向延伸的位线,上述多个位线的每一对由一个位线和一个互补位线组成;多个排列在所述阵列的上部且沿垂直方向延伸的数据I/O线,上述多个数据I/O线的每一对由一个数据I/O线和一个互补数据I/O线组成,且逐一地连接于上述位线的每一对;以及多个沿垂直方向排列且邻近于所述数据I/O线和所述互补数据I/O线用来控制所述多个位线的各对到所述多个数据I/O线的各对的连接的列选择线。
地址 韩国京畿道水原市