具有倒T型栅极MOS晶体管的低度掺杂漏极的制造方法及其结构

摘要

本发明是关于一种具有倒T型栅极MOS晶体管的低度掺杂漏极(LDD)的制造方法及其结构。该倒T型栅极是由下层较长的第一硅化物(silicide)及上层较短的钨(tungsten)组成，其纵剖面呈倒T字型，藉以上两种材料的组成可改善传统的多晶硅栅极在形成倒T型的反向蚀刻(etch back)制造过程中，均匀度难以控制及多晶硅本身高阻值特性等缺点，同时具有压抑热载流子(hotcarrier)产生及提高漏极导通/截止电流比等效果。

主权项

1、一种具有倒T型栅极MOS晶体管的低度掺杂漏极的制造方法，其步骤包括：在第一导电型硅基底上依序形成栅极氧化层、第一硅化物、钨层及氮化硅层；覆盖一光阻层并经照相显影形成图案，再经蚀刻以该光阻为掩模将图案转移动到该氮化硅层，以定义栅极区；又以该氮化硅层为蚀刻掩模将图案转移到该钨层而形成倒T形栅极的上层较短的金属层；去除该氮化硅层，并实施低浓度第二导电型杂质离子注入，接着沉积一氧化层并经反向蚀刻、退火形成围绕钨层边缘的第一隔离物，以及该低浓度第二导电型杂质离子的扩散形成低浓度源/漏极区；以该第一隔离物及该钨层为蚀刻掩模去除该第一硅化物不需要的部分，而形成倒T型栅极的下层较长的第一硅化物，接着实施高浓度第二导电型杂质离子注入形成高浓度源/漏极区；去除该栅极氧化层不需要的部分，并象形成第一隔离物的方法一样，在该第一隔离物、该第一硅化物及该栅极氧化层的边缘形成第二隔离物，以防止后续沉积在源/漏极上的硅化物与倒T型的不当短路；沉积第二硅化物并经选择性蚀刻使其仅留在源/漏极及栅极上。