| 主权项 |
1. 一种动态随机存取记忆体之堆叠式电容器的制造方法,系包括:在矽半导体晶圆上形成场效电晶体;形成第一介电层;利用微影技术和蚀刻技术蚀去所述第一层介电层,局部露出所述矽半导体晶圆以形成记忆元接触窗;形成第一复晶矽;形成光阻图案以在所述记忆元接触窗上方形成第一开口;在所述第一开口的侧边形成非挥发性的有机高分子侧壁物(non-volatile organic polymer sidewall spacer),窄化所述第一开口,使所述第一开口成为第二开口;以所述「光阻图案」和「非挥发性的有机高分子侧壁物」作为蚀刻保护罩,蚀去一部份的所述第一复晶矽以形成凹沟;去除所述光阻图案和非挥发性的有机高分子侧壁物;利用微影技术和蚀刻技术蚀去电容器区域之所述第一复晶矽以形成电容器下层电极;在所述下层电极的表面形成一层电容器介电层;形成一层第二复晶矽,并利用微影技术和蚀刻技术蚀去所述第二复晶矽』和电容器介电层以形成电容器的上层电极。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述所述场效电晶体包含有闸氧化层、闸极和源极/汲极。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述第一介电层是指无掺杂的二氧化矽,其厚度介于1000至2000埃之间。4. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述第一复晶矽之厚度介于4000到8000埃之间。5. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中,可利用化学机械式琢磨技术(Chemical Mechanical Polishing;CMP)对所述第一复晶矽进行平坦化处理。6. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述第二复晶矽之厚度介于1000到2000埃之间。7. 如申请专利范围第一项所述之方法,其中所述电容器介电层是由二氧化矽、氮化矽及二氧化矽等层组成,或由五氧二钽(Ta@ss2O@ss5)组成。8. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中所述对第一介电层之电浆蚀刻是利用磁场增强式活性离子式电浆蚀刻技术(MERIE)或电子回旋共振电浆蚀刻技术(ECR)或传统的活性离子式电浆蚀刻技术(RIE)。图示简单说明:图一是堆叠式动态随机存取记忆体之先前技艺的制程剖面示意图,其各层编号跟图十之编号相同。 |
