| 主权项 |
1. 一种以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,适用于一薄膜电晶体的制程中,该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法包括:提供一绝缘基底;形成一矽薄膜于该绝缘基底;形成该电晶体之闸极、源极和汲极于该矽薄膜上;以及施以含氮氧元素之电浆处理。2. 如申请专利范围第1项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该矽薄膜是非晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该矽薄膜是复晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该施以含氮氧元素电浆处理的方法,系将该绝缘基底置于一电浆系统内,通以N@ss2O气体,经激化成电浆后而得。5. 如申请专利范围第4项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是射频电浆系统。6. 如申请专利范围第4项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是微波电浆系统。7. 如申请专利范围第4项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是电子回旋加速共振系统。8. 一种以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,适用于一薄膜电晶体的制程中,该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法包括:提供一绝缘基底;形成一矽薄膜于该绝缘基底上;施以含氮氧元素之电浆处理;以及形成该薄膜电晶体之闸极、源极和汲极于该矽薄膜上。9. 如申请专利范围第8项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该矽薄膜是非晶矽。10.如申请专利范围第8项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该矽薄膜是复晶矽。11. 如申请专利范围第8项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该施以含氮氧元素电浆处理的方法,系将该绝缘基底置入一电浆系统内,通以N@ss2O气体,经激化成电浆而得。12. 如申请专利范围第11项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是射频电浆系统。13. 如申请专利范围第11项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是微波电浆系统。14. 如申请专利范围第11项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是电子旋回加速共振系统。15. 一种以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,包括:提供一绝缘基底;形成一矽薄膜于该绝缘基底上;以及施以含氮氧元素之电浆处理。16. 如申请专利范围第15项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该矽薄膜为非晶矽和复晶矽二者中之一者。17. 如申请专利范围第15项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该施以含氮氧元素之电浆处理的方法,系将该绝缘基底置入一电浆系统内,通以N@ss2O气体,经激化成电浆而得。18. 如申请专利范围第17项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是射频电浆系统。19. 如申请专利范围第17项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是微波电浆系统。20. 如申请专利范围第17项所述之该以含氮氧元素电浆钝化矽薄膜的制造方法,其中,该电浆系统是电子回旋加速共振系统。图示简单说明:第1A-1D图系显示四种常见之平面式薄膜电晶体剖面图;第2图系显示单晶矽结构之电子波函数简并成扩展态的图示;第3图系显示非单晶矽结构之电子波函数未能简并之局部态的图示;第4图系显示非单晶矽结构之电子能阶图示,同时亦显示出缺陷间的相对能阶位置;第5图系根据本发明一较佳实施例的流程剖面图;第6图系根据本发明另一较佳实施例的流程剖面图;第7图系显示一射频电浆系统的概略图示;第8图分别根据本发明和习知方法之汲极电流对闸极电压的特性曲线;以及第9图为根据本发明和氢电浆钝化者,经应力测试后,临 |
