| 发明名称 | 一种半导体光发射器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体光发射器件，包括一个具有前后表面的硅衬底；一个位于硅衬底前表面的第一过渡层；几个连续位于第一过渡层上的氮化镓串接化合物半导体层。可通过解理产生谐振腔的小平面，并可实现如下结构：一对电极分别置于光发射器件相对的最顶层表面和最底层表面。成本低，而且在氮化镓串接化合物半导体层生长的最初阶段，产生了大量的生长核，而这些生长核又加速了二维生长，结果获得了高质量的氮化镓串接化合物半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1148734A | 申请公布日期 | 1997.04.30 |
| 申请号 | CN96109402.8 | 申请日期 | 1996.08.08 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 川津善平;早藤纪生;迪撒德·马克斯 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20;H01S3/19 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体光发射器件，包括：一个具有相对的前表面和后表面的硅(Si)衬底(1)；一个置于硅衬底(1)的前表面上的非晶的或者多晶的第一缓冲层(2)；以及几个顺次地置于第一缓冲层(2)上的串接的氮化镓(GaN)化合物半导体层(3，4，5)，其中包括一个光发射区域，在这一区域中，通过电子与空穴的复合可产生光。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||