| 发明名称 | 金属氧化物薄膜电阻器 | ||
| 摘要 | 本发明的金属氧化物薄膜电阻器，具备：有绝缘性的基体材料、至少由电阻温度系数显示正值的金属氧化物薄膜和/或其电阻温度系数显示负值的金属氧化物薄膜构成的金属氧化物电阻薄膜及/或金属氧化物绝缘薄膜；是一种不受水分的影响，也不受绝缘基体材料中的碱离子的影响，膜本身的电阻值不变，可靠性高的电阻器。 | ||
| 申请公布号 | CN1148902A | 申请公布日期 | 1997.04.30 |
| 申请号 | CN96190234.5 | 申请日期 | 1996.03.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 服部章良;堀喜博;池田正树;吉田昭彦;进藤泰宏;五十岚幸造 |
| 分类号 | H01C7/00 | 主分类号 | H01C7/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 沈昭坤 |
| 主权项 | 1.一种金属氧化物薄膜电阻器，其特征在于，具备：有绝缘性的基体材料，以及在所述基体材料上形成的金属氧化物电阻薄膜；所述金属氧化物电阻薄膜至少由电阻温度系数显示出正值的金属氧化物薄膜和电阻温度系数显示出负值的金属氧化物薄膜构成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府门真市 | ||