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发明名称 Gateverdrahtung für DMOSFET
摘要
申请公布号 DE69306340(T2) 申请公布日期 1997.04.30
申请号 DE19936006340T 申请日期 1993.09.10
申请人 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 YONEDA, TATSUO, FUTYU-SHI, TOKYO, JP;SUZUKI, KAZUAKI, KAWASAKI-SHI, KANAGAWA-KEN, JP
分类号 H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/772;H01L29/41 主分类号 H01L29/10
代理机构 代理人
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