PROCEDIMENTO DI OSSIDAZIONE DI UNO STRATO CONTENENTE SILICIO E PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI FLASH EPROM A TRANSISTOR FAMOS INCLUDENTE TALE PROCEDIMENTO DI OSSIDAZIONE,申请号IT1997RM00239-传众专利搜索

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发明名称	PROCEDIMENTO DI OSSIDAZIONE DI UNO STRATO CONTENENTE SILICIO E PROCEDIMENTO DI FABBRICAZIONE DI DISPOSITIVI FLASH EPROM A TRANSISTOR FAMOS INCLUDENTE TALE PROCEDIMENTO DI OSSIDAZIONE
摘要
申请公布号	ITRM970239(D0)	申请公布日期	1997.04.24
申请号	IT1997RM00239	申请日期	1997.04.24
申请人	CONSORZIO EAGLE	发明人
分类号	H05H	主分类号	H05H
代理机构		代理人
主权项
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