| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种内装以大介电常数电介质或强电介质为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件及其制造方法中，包括将电容绝缘膜(6)的烧结工序的烧结温度保持在650℃，利用以5℃/分或10℃/分为到达烧结温度的升温率进行烧结，形成结晶粒(7)的平均粒径为12.8nm、粒径离散的标准偏差几乎为2.2nm的结晶大小的厚度约185nm的Ba<SUB>0.7</SUB>Sr<SUB>0.3</SUB>TiO<SUB>3</SUB>组成的电容绝缘膜(6)。提供了可靠性好的半导体器件及其制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1148262A | 申请公布日期 | 1997.04.23 |
| 申请号 | CN96107136.2 | 申请日期 | 1996.06.21 |
| 申请人 | 松下电子工业株式会社 | 发明人 | 嶋田恭博;上本康裕;井上敦雄;松浦武敏;吾妻正道 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：内装由形成集成电路的支承基片、在该支承基片的上面有选择地形成的第一电极、在该第一电极的上面形成的由大介电常数电介质组成的电容绝缘膜和在该电容绝缘膜的上面形成不与所述第一电极接触的第二电极组成的电容元件，其特征在于，具有由所述大介电常数电介质组成的电容绝缘膜的结晶粒平均粒径在5—20nm范围并且其平均粒径的粒径分布在标准偏差3nm以内的电容绝缘膜的电容元件。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||