| 发明名称 | 单质硫的硫和金属离子复合注入方法 | ||
| 摘要 | 本发明采用单质硫在金属离子注入系统中进行硫-金属离子复合注入材料表面改性。该技术具有束斑大、无污染、工艺简单的特点。适用于宇航工程、机械工程中的高精度部件的材料表面改性。 | ||
| 申请公布号 | CN1034680C | 申请公布日期 | 1997.04.23 |
| 申请号 | CN92111302.1 | 申请日期 | 1992.09.29 |
| 申请人 | 大连理工大学 | 发明人 | 李国卿;闻学亚;史维东 |
| 分类号 | C23C14/48 | 主分类号 | C23C14/48 |
| 代理机构 | 大连理工大学专利事务所 | 代理人 | 侯明远 |
| 主权项 | 1.一种在金属离子注入系统中进行硫和金属离子复合注入方法，其特征在于：在金属离子注入系统中，将单质硫置于金属或导电体的阴极载体上，由金属弧引发硫蒸气产生硫等离子体，实现硫—金属离子复合注入。 | ||
| 地址 | 116024辽宁省大连市凌水河 | ||