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发明名称 HOMO-JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING HIGH BASE CONCENTRATION & SUITABLE FOR LOW TEMPERATURE OPERATION
摘要
申请公布号 KR970005949(B1) 申请公布日期 1997.04.22
申请号 KR19880013041 申请日期 1988.10.06
申请人 HITACHI MFG KK. 发明人 KAZUO, YANO;MASAAKI, AOKI;KATSUHIRO, SHIMOHIGASHI;TOSHIAKI, MASUHARA
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/36;H01L29/66;H01L29/732;(IPC1-7):H01L29/70 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
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